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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BCW 60B E6327 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF Transistors

内部编号

173-BCW-60B-E6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:47150
1+¥1.2992
10+¥1.2171
100+¥0.4308
1000+¥0.2803
3000+¥0.2188
9000+¥0.1915
24000+¥0.1709
48000+¥0.1504
96000+¥0.1231
最小起订量:1
美国加州
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BCW 60B E6327产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 550mV @ 1.25mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 180 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 330mW
频率转换 250MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 550mV @ 1.25mA, 50mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 330mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 180 @ 2mA, 5V
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 250 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 330 mW
系列 BCW60
直流集电极/增益hfe最小值 20 at 10 uA at 5 V, 180 at 2 mA at 5 V, 70 at 50 mA at 1 V
集电极最大直流电流 0.1 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 32 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 32 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BCW60BE6327HTSA1 SP000010551
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
宽度 1.3 mm
品牌 Infineon Technologies
长度 2.9 mm
身高 1 mm
Pd - Power Dissipation 330 mW

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